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GB 50826-2012 電磁波暗室工程技術規(guī)范 (完整版)

[建設標準 - 建筑] 發(fā)表于:2022-08-16 14:36:34
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前言
GB 50826-2012 電磁波暗室工程技術規(guī)范 (完整版)
詳情

1 總 則

1.0.1 為規(guī)范電磁波暗室的設計、施工及驗收,確保電磁波暗室工程技術先進、經(jīng)濟合理、安全適用,制定本規(guī)范。


1.0.2 本規(guī)范適用于新建、改建和擴建電磁波暗室的沒計、施工和驗收。

1.0.3 電磁波暗室的設計、施工和驗收除應符合本規(guī)范外,尚應符合國家現(xiàn)行有關標準的規(guī)定。


2 術 語

2.0.1 暗室 anechoic enclosure
主要采用電磁波能量吸收技術建造的房間。試驗中在指定區(qū)域有要求的電磁信號和限定的電磁背景雜波的環(huán)境。


2.0.2 功能性房間 functional room
配合暗室對受試設備進行測試的房間。
2.0.3 電磁環(huán)境 electromagnetic environment
存在于給定場所的所有電磁現(xiàn)象的總和。
2.0.4 暗室電磁背景雜波 electromagnetic noise of anechoic enclosure
暗室內非測量要求電磁能譜的總和。
2.0.5 暗室靜區(qū) quiet zone of anechoic enclosure
暗室內電磁信號和電磁背景雜波均能滿足受試設備性能測試要求的空間區(qū)域。
2.0.6 靜區(qū)靜度 performance of quiet zone
靜區(qū)范圍內電磁背景雜波電平與測試信號電平比值之對數(shù)值,單位是分貝(dB)。
2.0.7 靜區(qū)電磁信號特性 signal performance of quiet zone
靜區(qū)范圍內電磁波信號的特性。
2.0.8 主反射區(qū) principal reflection zone
暗室內壁面對入射的測試信號電磁波產(chǎn)生指向靜區(qū)方向反射的重點區(qū)域。
2.0.9 遠場區(qū) far-field regions
電磁場隨角度的分布基本上與天線距離無關的天線場區(qū)。
2.0.10 近場區(qū) near-field regions
場矢量的角度分布與發(fā)射點源距離相關的場區(qū)。
2.0.11 緊縮場區(qū) compact regions
采用技術手段,在輻射近場區(qū)內實現(xiàn)幅度和相位的均勻性都能夠滿足電磁測試要求的區(qū)域。
2.0.12 場均勻性 amplitude uniformity
規(guī)定區(qū)域內測試信號電磁場強度和相位分布的一致性。
2.0.13 交叉極化隔離度 cross-polarization isolation
在收發(fā)天線之間,電磁波在水平和垂直兩個極化方向強度的隔離程度。
2.0.14 多路徑傳輸損耗 multipath transmisson loss
電磁波在多條路徑傳輸中能量疊加而引起的衰減。
2.0.15 輻射功率密度 density of radiation power
在垂直于電磁波傳播方向的橫截面內,每單位面積輻射的功率值。
2.0.16 電磁波吸波材料 electromagnetic wave absorbing materials
專用于吸收入射電磁波能量的材料。
2.0.17 吸收性能 absorber performance
電磁波吸波材料對投射到材料上的電磁波能量的吸收能力。
2.0.18 電磁屏蔽 electromagnetic shield
用導電或導磁材料結構體衰減電磁波向指定區(qū)域傳輸?shù)拇胧?br />

2.0.19 電磁屏蔽室 electromagnetic shield room
采用電磁屏蔽和其他技術建造,房間關閉狀態(tài)下能對內、外電磁環(huán)境實現(xiàn)一定程度隔離的房間。


3 基本規(guī)定

3.0.1 電磁波暗室工程建設除應包括主體房間暗室建設外,還應包括配合暗室開展測試的其他設施建設,以及建筑工程的支撐建設。


3.0.2 暗室與所在建筑物的工程劃分應以暗室結構外表面分界。界線內應為暗室工程,界線外應為建筑工程。
3.0.3 暗室工程的設計、招投標、施工和驗收應獨立于建筑工程開展。
3.0.4 新建電磁波暗室應先有暗室總體方案,再對支撐的建筑物進行設計。
3.0.5 改造項目在可實現(xiàn)總體方案的基礎上,對暗室性能技術的要求應與暗室工程技術水平相適應。
3.0.6 暗室靜區(qū)的電磁信號環(huán)境和電磁背景雜波環(huán)境,應滿足受試設備測量項目的要求。
3.0.7 暗室內的電磁環(huán)境性能驗收應通過測量確認。
3.0.8 作業(yè)人操作位容許微波輻射平均功率密度限量值超過現(xiàn)行國家標準《作業(yè)場所微波輻射衛(wèi)生標準》GB 10436、超高頻輻射功率密度限值超過現(xiàn)行國家標準《作業(yè)場所超高頻輻射衛(wèi)生標準》GB 10437或公眾照射導出限值超過現(xiàn)行國家標準《電磁輻射防護規(guī)定》GB 8702規(guī)定的暗室及相關房間時,應采取下列措施:
1 對暗室或房間應采取電磁屏蔽。屏蔽效果必須確保泄漏到室外的電磁波能量功率密度控制到安全限值以下。
2 在強功率照射區(qū)域的周邊應設置警示標志。
3 在強功率照射區(qū)域的中心和界面處應裝設強功率照射報警探頭,確保在強功率照射狀態(tài)下,通過報警器發(fā)送警示信號。
4 受強功率照射部位所敷設的吸波材料,必須選擇耐高功率吸波材料。

3.0.9 暗室主體工程應進行結構安全計算。
3.0.10 電磁波暗室的火災危險性類別應為丁類或戊類。主體結構耐火等級不應低于二級。
3.0.11 建筑工程公用專業(yè)對暗室提供的系統(tǒng)方案應滿足暗室使用要求。

3.0.12 電磁波暗室設計應依據(jù)下列基礎資料:
1 電磁波暗室建設項目的總體要求。
2 電磁波暗室的組成、規(guī)模和特殊要求。
3 暗室內測試系統(tǒng)設備配置和安裝布局要求。
4 對暗室內電磁環(huán)境和其他非電磁環(huán)境的要求。
5 總體規(guī)劃、建筑物和公用設施的相關情況資料。


4 電磁波暗室分類

4.0.1 電磁波暗室的分類應符合表4.0.1的規(guī)定。

表4.0.1 電磁波暗室分類


4.0.2 暗室電磁環(huán)境指標項應符合表4.0.2的規(guī)定。

表4.0.2 暗室電磁環(huán)境指標項


4.0.3 暗室非電磁環(huán)境指標項應符合表4.0.3的規(guī)定。

表4.0.3 暗室非電磁環(huán)境指標

注:λ為電磁波波長。


5 總體設計

6 工藝設計

6.0.1 電磁波暗室的工藝區(qū)劃應滿足暗室體型尺寸、暗室與功能性房間之間的相對位置要求。


6.0.2 暗室應與測控間、設備間、試驗間等相鄰。
6.0.3 暗室開門位置不宜在主反射區(qū)。
6.0.4 暗室布局宜自建筑的底層開始。
6.0.5 暗室體型宜選擇內壁對電磁波反射路徑既少又弱、試驗操作安全可靠、結構簡單的體型。
6.0.6 暗室內有兩套或以上功能測試系統(tǒng)時,其體型和尺寸除應滿足各測試系統(tǒng)的測量技術要求外,還應滿足系統(tǒng)間相互耦合的隔離要求。

6.0.7 長方體暗室尺寸應符合下列規(guī)定:
1 內壁長度L應按下式計算:

L≥L1+L2+L3+L4 (6.0.7-1)

式中:L1——測量距離(m),按表6.0.7計算;
L2——暗室內測量系統(tǒng)設備和受試設備在測試中,沿暗室測量縱軸方向所占據(jù)的最大尺寸之和(m);
L3——為滿足運輸、維護及電磁輻射性能要求,沿測量縱軸方向增加的長度;
L4——暗室兩端墻壁吸波材料沿測量縱軸方向的高度和(m)。

表6.0.7 L1計算

暗室類別 L1
1-1、2-1、
2-2、3-2
L1=KD2/λ,K為系數(shù),取值應滿足天線口面內電磁波相位偏差要求;
D為受試設備的天線口徑或有效尺寸(m);λ為工作波長(m)
1-2
L1=(2~10)λ
1-3、3-1 L1≈4Φ,其中Φ為單反射面緊縮場的圓柱靜區(qū)直徑(m)
4-1 根據(jù)測試場地標準要求,L1取1m、3m、5m、10m、30m
5-1、5-2 根據(jù)測試項目環(huán)境要求決定

2 內壁寬度W應按下式計算:

W=W1+W2+W3 (6.0.7-2)

式中:W——內壁寬度(m),不宜小于0.87L1;
W1——暗室內測量系統(tǒng)設備和受試設備在測試中,沿暗室寬度方向所占據(jù)的最大尺寸(m);
W2——滿足運輸、維護和輻射特性需要,沿暗室寬度方向的空間尺寸(m);
W3——暗室兩側墻壁吸波材料高度的總和(m)。
3 內壁高度H應按下式計算,并應滿足輻射特性要求:

H=H1+H2+H3 (6.0.7-3)

式中:H——內壁高度(m),對于1-1、2-1、2-2、3-2類暗室,不宜小于0.87L1;
H1——測量系統(tǒng)設備或受試設備的最大高度(m);
H2——設備上部安裝空間尺寸(m);
H3——暗室頂部吸波材料高度(m)。


6.0.8 錐體暗室尺寸設計應符合下列規(guī)定:
1 暗室靜區(qū)尺寸不應小于待測天線尺寸。
2 暗室長方體部分寬度和高度應相等,不應小于暗室靜區(qū)尺寸的3倍。
3 暗室長方體部分長度不應小于暗室寬度和主墻吸波材料高度的和。
4 錐頂角可選取20°~22°。
5 根據(jù)本條第1款~第4款設計的錐形暗室,測量距離L1應滿足本規(guī)范表6.0.7的遠場條件。
6 6GHz及以上頻段的錐形暗室,應符合自由空間電波傳播幅度與相位的均勻性要求。
6.0.9 正多邊柱體暗室尺寸應符合下列規(guī)定:
1 內壁內切圓半徑R應按下式計算:

R≥L1+R2+R3+R4(6.0.9-1)

式中:L1——測量距離,按本規(guī)范表6.0.7計算。對于1-1、2-1、3-2類遠場測量暗室,當天線口面內電磁波相位偏差要求小于或等于λ/8時,K值取2。對于2-2類暗室,K值可小于2;
R2——測量系統(tǒng)設備與受試設備沿半徑方向的長度之和;
R3——滿足運輸、維護和輻射特性需要,在半徑方向的空間尺寸;
R4——吸波材料的總高度。
2 高度應按本規(guī)范式(6.0.7-3)計算。


6.0.10 雷達截面緊縮場微波暗室(3-1類暗室)尺寸,應與要求的靜區(qū)尺寸、測量系統(tǒng)布局、操作維護空間相協(xié)調匹配。
6.0.11 除本規(guī)范表4.0.1中1-2、1-3、2-2、3-1、3-2、4-1類暗室測量系統(tǒng)在高度方向布局另有要求外,其他暗室內部測量系統(tǒng)應對稱布局。
6.0.12 暗室靜區(qū)范圍尺寸應大于受試設備試驗狀態(tài)中所覆蓋的區(qū)域。


7 吸波及電磁屏蔽工程設計

8 建筑與結構設計

9 公用工程設計

10 電磁屏蔽和吸波工程施工

11 工程驗收

11.0.1 暗室的電磁屏蔽和吸波工程竣工驗收應分別在屏蔽性能和吸波性能測量合格后進行。


11.0.2 各工序應按施工組織計劃技術標準進行質量控制。每道工序完成后應進行自檢,相關各專業(yè)工種之間應進行交接檢驗,自檢和交接檢驗應作記錄,并應作為工程竣工驗收的資料。
11.0.3 暗室的電磁屏蔽工程和吸波工程竣工驗收,應由施工單位向監(jiān)理單位提出,并應由監(jiān)理單位組織建設單位、設計單位、施工單位、質量監(jiān)督機構組成驗收組,應根據(jù)合同、設計文件、本規(guī)范及相關技術文件進行竣工驗收。
11.0.4 暗室的電磁屏蔽工程和吸波工程竣工驗收應提交下列竣工資料:
1 移交清單。
2 原材料和設備合格證、質量證明、說明書。
3 圖紙會審記錄、變更設計或洽商記錄。
4 各工序施工安裝、質量自檢和互檢驗收記錄。
5 屏蔽或吸波性能第三方測試報告。
6 開工報告。
7 竣工驗收報告。
8 竣工圖。
11.0.5 驗收不合格的工程應返工施工或更換構(配)件。更換的構(配)件應由有資質的檢測單位檢測合格,或由原設計單位認可能夠滿足性能。
11.0.6 通過返修仍不能滿足安全使用和功能使用要求的工程,不得進行驗收。
11.0.7 電磁屏蔽和吸波工程采用的各種主要材料、整件和部件的合格證、檢測報告、技術規(guī)格、使用說明等資料應齊備。
11.0.8 隱蔽工程施工驗收資料應齊全。
11.0.9 電磁屏蔽工程驗收應在吸波工程施工開始前進行。
11.0.10 電磁屏蔽工程施工驗收主要內容應包括工程材料、屏蔽整部件、屏蔽體結構、安全和消防器材等的施工質量和屏蔽效能指標。
11.0.11 電磁屏蔽效能驗收測試應符合現(xiàn)行國家標準《電磁屏蔽室屏蔽效能的測量方法》GB/T 12190等的有關規(guī)定。
11.0.12 吸波工程的電磁特性測試與驗收可在測量系統(tǒng)安裝前或安裝后,由驗收各方根據(jù)工程項目情況商定。
11.0.13 非電磁兼容類電磁波暗室的電磁特性驗收測試應分別符合下列規(guī)定:
1 1-1、2-1、2-2、5-1和5-2類暗室等,靜區(qū)特性檢測應采用現(xiàn)行國家標準《微波暗室性能測試方法》GJB 6780的有關規(guī)定,靜區(qū)反射電平測試宜采用自由空間電壓駐波比法,小型暗室可采用方向圖比較法。
2 1-2類暗室,靜區(qū)特性檢測可采用空間位移掃描比較法。
3 暗室殘余散射特性檢測可按本規(guī)范附錄A采用單站雷達截面比較法。

11.0.14 電磁兼容電波暗室的測試與驗收應符合現(xiàn)行國家標準《電磁兼容性測試實驗室認可要求》GJB 2926的有關規(guī)定。


附錄A 單站雷達截面比較法

A.0.1 單站雷達截面比較法的測試原理及步驟應包括下列內容:
1 應根據(jù)測試頻段要求選取適當直徑d(m)的金屬定標球σs(dBm2),保證定標球處于光學區(qū)內(ka=πd/λ≥10)。
2 將定標球放置于暗室靜區(qū)中心處,采用矢量網(wǎng)絡分析儀S21網(wǎng)絡,校準儀器,設置時域門中心和門寬,對定標球進行測量,得到接收機的輸出電壓Vs。取下定標球,對暗室本身進行測量,得到接收機的輸出電壓Vo
3 當Vo≤Vs時,暗室殘余反射電平的雷達目標散射面積σo應按下式計算:

σo=σs+20lg(Vo/Vs)(dBm2) (A.0.1)

4 選取不同頻段的天線、使用相應的頻段和極化,重復2和3步驟,便可完成暗室殘余反射電平σo(dBm2)的檢測。結果記錄在測試報告表中。


A.0.2 測試系統(tǒng)儀表、設備配置應包括下列內容:
1 型號矢量網(wǎng)絡分析儀一套。
2 標準角錐喇叭天線一套,增益為15dB~20dB。
3 射頻低噪放大器一套,增益為20dB~25dB。
4 金屬定標球一套。
5 激光測距儀一臺,直尺一套,低雷達目標散射面積的散射支架一個。
6 數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)(計算機,打印機)一套。


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