大學(xué)新購(gòu)II類射線裝置項(xiàng)目生產(chǎn)工藝流程與設(shè)備描述
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發(fā)表于：2025-07-25 11:17:11
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前言
本文詳細(xì)介紹了II類射線裝置項(xiàng)目的生產(chǎn)工藝流程和生產(chǎn)設(shè)備，包括設(shè)備組成、工作方式、工藝流程及產(chǎn)污環(huán)節(jié)等關(guān)鍵信息。
詳情
1 項(xiàng)目生產(chǎn)工藝流程與設(shè)備描述
1.1 設(shè)備組成
本項(xiàng)目擬使用的II類射線裝置主要由防護(hù)箱體、射線發(fā)生器、探測(cè)器、載物臺(tái)、操作臺(tái)等組成。設(shè)備各部件名稱及功能如下表所示：
| 序號(hào) | 名稱 | 位置 |
|---|---|---|
| 1 | 防護(hù)箱體 | 外部 |
| 2 | 裝載門(mén) | 外部 |
| 3 | 工作指示燈 | 外部 |
| 4 | 操作按鈕 | 外部 |
| 5 | 帶狀指示燈 | 外部 |
| 6 | 固定式輻射探測(cè)報(bào)警裝置 | 外部 |
| 7 | 排風(fēng)口 | 外部 |
| 8 | 走線孔 | 外部 |
| 9 | 450kV射線發(fā)生器 | 內(nèi)部 |
| 10 | 225kV射線發(fā)生器 | 內(nèi)部 |
| 11 | 載物臺(tái) | 內(nèi)部 |
| 12 | 探測(cè)器 | 內(nèi)部 |
1.2 工作方式
II類射線裝置的工作方式如下：
- CT成像系統(tǒng)自帶屏蔽體，其有用線束固定朝人員正視CT成像系統(tǒng)裝載門(mén)的右側(cè)照射。系統(tǒng)設(shè)有兩個(gè)射線發(fā)生器，分別為450kV射線發(fā)生器和225kV射線發(fā)生器，兩者不能同時(shí)出束。
- 450kV射線發(fā)生器的高能量特點(diǎn)適用于檢測(cè)大體積、高密度類樣品，而225kV射線發(fā)生器則因其高精度特點(diǎn)，滿足小型樣品的納米級(jí)高精度測(cè)試需求。兩個(gè)射線發(fā)生器的工作負(fù)荷比約為3：7。
- CT成像系統(tǒng)通過(guò)設(shè)備的控制按鈕或操作系統(tǒng)開(kāi)啟X射線。操作人員位于操作臺(tái)對(duì)CT成像系統(tǒng)進(jìn)行操作，操作臺(tái)位于CT成像系統(tǒng)正面左側(cè)，出束期間無(wú)需人員干預(yù)。
- X射線透過(guò)待檢樣品后由探測(cè)器接收，圖像分析軟件進(jìn)行圖像重建，得到樣品的可視化內(nèi)部結(jié)構(gòu)信息。掃描過(guò)程中控制載物臺(tái)移動(dòng)，獲取不同位置的2D圖片后進(jìn)行3D重構(gòu)。
1.3 工藝流程和產(chǎn)污環(huán)節(jié)
本項(xiàng)目的工藝流程和產(chǎn)污環(huán)節(jié)如下圖所示：
圖中展示了從樣品裝載到檢測(cè)完成的全過(guò)程，以及可能產(chǎn)生的污染源項(xiàng)。主要污染源為X射線，其在正常工況下被屏蔽體有效屏蔽，但可能因直射、漏射及散射對(duì)外部人員和公眾產(chǎn)生輻射影響。
1.4 設(shè)備參數(shù)與源強(qiáng)分析
| 技術(shù)參數(shù) | 450kV射線發(fā)生器 | 225kV射線發(fā)生器 |
|---|---|---|
| 最大管電壓 | 450kV | 225kV |
| 最大管電流 | 5mA | 3mA |
| 濾過(guò)條件 | 3mmBe+1mmAl | 1mmCu+1mmAl |
| 有用線束角度 | 30°×40° | 40° |
| 有用線束距輻射源點(diǎn)1m處劑量率 | 1.8mGy/s | 0.7mGy/s |
| 泄漏線束距輻射源點(diǎn)1m處劑量率 | 5×103μSv/h | 5×103μSv/h |
| 屏蔽體外表面任意點(diǎn)處劑量率 | <1μSv/h | <1μSv/h |
上述表格列出了射線發(fā)生器的關(guān)鍵參數(shù)，包括最大管電壓、最大管電流、濾過(guò)條件、有用線束角度及劑量率等，為輻射安全與防護(hù)分析提供了基礎(chǔ)數(shù)據(jù)。
