新建X射線探傷室項(xiàng)目生產(chǎn)工藝流程與設(shè)備描述
1. 生產(chǎn)工藝流程
1.1 工作流程
建設(shè)單位使用工業(yè)X射線探傷機(jī)的工作流程主要有：訓(xùn)機(jī)（停用時(shí)間超過(guò)24小時(shí)需進(jìn)行）、探傷作業(yè)（含洗片和評(píng)片）。
1.1.1 訓(xùn)機(jī)工藝流程和產(chǎn)污環(huán)節(jié)
X射線管內(nèi)陰極和陽(yáng)極內(nèi)部殘存微量氣體，在高溫或強(qiáng)電場(chǎng)作用下，這些氣體會(huì)逐漸逸出產(chǎn)生電離，使射線管的真空度下降，嚴(yán)重時(shí)會(huì)產(chǎn)生內(nèi)部放電。為了保證射線管的壽命，探傷作業(yè)前需要對(duì)射線裝置進(jìn)行訓(xùn)機(jī)，提高射線管的真空度，延長(zhǎng)設(shè)備使用壽命。當(dāng)射線裝置停用超過(guò)24小時(shí)，就需要對(duì)射線裝置進(jìn)行訓(xùn)機(jī)（若停用時(shí)間不到24小時(shí)則無(wú)需訓(xùn)機(jī)，可直接進(jìn)行探傷作業(yè)）；長(zhǎng)期不使用的射線裝置，為了保證其性能，會(huì)定期對(duì)其訓(xùn)機(jī)。
建設(shè)單位射線裝置的訓(xùn)機(jī)場(chǎng)所位于探傷室內(nèi)。X射線探傷機(jī)帶有自動(dòng)訓(xùn)機(jī)程序，設(shè)備會(huì)根據(jù)自由程序，逐步升高管電壓，僅需手動(dòng)輸入訓(xùn)機(jī)指令。訓(xùn)機(jī)的工作流程如下：
- 工作人員做好開(kāi)機(jī)前的準(zhǔn)備：檢查X射線探傷機(jī)外觀是否完好；電纜是否有斷裂、扭曲以及破損；制冷設(shè)備和安全聯(lián)鎖是否正常工作；報(bào)警設(shè)備和警示燈是否正常運(yùn)行；螺栓等連接件是否連接良好；機(jī)房?jī)?nèi)安裝的固定輻射檢測(cè)儀是否正常。
- 擺放好X射線探傷機(jī)，調(diào)整有用線束朝向，避免向東側(cè)控制室出束。同時(shí)，可在有用線束方向放置探傷工件等物品進(jìn)行射線遮擋。
- 對(duì)探傷室進(jìn)行清場(chǎng)并關(guān)閉防護(hù)門(mén)，在操作臺(tái)通過(guò)控制端進(jìn)入訓(xùn)機(jī)程序，該訓(xùn)機(jī)過(guò)程探傷機(jī)的出束時(shí)間約為5分鐘。在訓(xùn)機(jī)出束時(shí)，會(huì)產(chǎn)生X射線，并且會(huì)產(chǎn)生微量的臭氧、氮氧化物等有害氣體。
1.1.2 X射線探傷室探傷工藝流程及產(chǎn)污環(huán)節(jié)
- 訓(xùn)機(jī)完成后（若檢測(cè)當(dāng)天不需訓(xùn)機(jī)則需做好開(kāi)機(jī)前的準(zhǔn)備工作，同訓(xùn)機(jī)第一步），操作人員對(duì)被探傷的工件貼置膠片，將貼好膠片的工件送入探傷室進(jìn)行擺位，將探傷機(jī)置于工件內(nèi)。擺位時(shí)調(diào)整有用線束朝向，避免向東側(cè)控制室出束。根據(jù)設(shè)備商和建設(shè)單位提供的資料，通常探傷機(jī)距離工件400mm~600mm。
- 探傷室內(nèi)的輻射工作人員進(jìn)行撤離、清場(chǎng)。
- 操作人員根據(jù)探傷要求設(shè)置曝光管電壓和曝光時(shí)間。
- 打開(kāi)X射線探傷機(jī)，進(jìn)行探傷。
- 曝光結(jié)束后，關(guān)閉X射線探傷機(jī)。取下膠片，送入暗室沖洗，完成后進(jìn)行評(píng)片、審片，將產(chǎn)生的廢顯（定）影液、膠片清洗廢水和廢膠片按要求存入危廢暫存間，定期交由有相應(yīng)危險(xiǎn)廢物處理資質(zhì)的單位進(jìn)行處置。
本項(xiàng)目X射線探傷機(jī)探傷工藝流程及產(chǎn)污環(huán)節(jié)示意圖如下：
| 序號(hào) | 工藝流程及產(chǎn)污環(huán)節(jié) |
|---|---|
| 1 | 訓(xùn)機(jī) |
| 2 | 擺位 |
| 3 | 撤離、清場(chǎng) |
| 4 | 設(shè)置曝光參數(shù) |
| 5 | 探傷 |
| 6 | 沖洗膠片 |
| 7 | 評(píng)片、審片 |
| 8 | 廢液、廢膠片暫存 |
| 9 | 定期處置 |
1.2 路徑規(guī)劃
1.2.1 輻射工作人員路徑
訓(xùn)機(jī)：工作人員在探傷室內(nèi)對(duì)探傷機(jī)進(jìn)行擺位→退出探傷室→在控制室操作X射線探傷機(jī)進(jìn)行自動(dòng)訓(xùn)機(jī)。
探傷作業(yè)：工作人員使用叉車(chē)將探傷工件通過(guò)防護(hù)門(mén)送入探傷室→根據(jù)需求將探傷工件放置在合適位置并貼片→退出探傷室→在控制室操作X射線探傷機(jī)進(jìn)行探傷→探傷結(jié)束取膠片送往暗室進(jìn)行洗片→完成后離開(kāi)。
1.2.2 探傷工件路徑
工作人員使用叉車(chē)將探傷工件通過(guò)防護(hù)門(mén)送入探傷室→探傷結(jié)束使用叉車(chē)取出探傷工件移到對(duì)應(yīng)位置。
1.2.3 危廢路徑
在洗片、評(píng)片過(guò)程中產(chǎn)生的廢顯（定）影液、膠片清洗廢水和廢膠片收集好后送至危廢暫存間進(jìn)行暫存，最終交由有相應(yīng)危險(xiǎn)廢物處理資質(zhì)的單位進(jìn)行處置。
本項(xiàng)目探傷室人流、物流路徑規(guī)劃圖如下：
| 序號(hào) | 路徑類(lèi)型 | 描述 |
|---|---|---|
| 1 | 輻射工作人員路徑 | 訓(xùn)機(jī)：工作人員在探傷室內(nèi)對(duì)探傷機(jī)進(jìn)行擺位→退出探傷室→在控制室操作X射線探傷機(jī)進(jìn)行自動(dòng)訓(xùn)機(jī)。 探傷作業(yè)：工作人員使用叉車(chē)將探傷工件通過(guò)防護(hù)門(mén)送入探傷室→根據(jù)需求將探傷工件放置在合適位置并貼片→退出探傷室→在控制室操作X射線探傷機(jī)進(jìn)行探傷→探傷結(jié)束取膠片送往暗室進(jìn)行洗片→完成后離開(kāi)。 |
| 2 | 探傷工件路徑 | 工作人員使用叉車(chē)將探傷工件通過(guò)防護(hù)門(mén)送入探傷室→探傷結(jié)束使用叉車(chē)取出探傷工件移到對(duì)應(yīng)位置。 |
| 3 | 危廢路徑 | 在洗片、評(píng)片過(guò)程中產(chǎn)生的廢顯（定）影液、膠片清洗廢水和廢膠片收集好后送至危廢暫存間進(jìn)行暫存，最終交由有相應(yīng)危險(xiǎn)廢物處理資質(zhì)的單位進(jìn)行處置。 |
2. 生產(chǎn)設(shè)備
2.1 設(shè)備組成及工作方式
2.1.1 設(shè)備組成
本項(xiàng)目擬使用的工業(yè)X射線探傷裝置屬于便攜式探傷裝置，便攜式工業(yè)X射線探傷裝置主要由X射線發(fā)生器、控制箱、電纜線三部分組成，控制箱上設(shè)有聯(lián)鎖接口。本項(xiàng)目擬使用的工業(yè)X射線探傷裝置為定向式探傷裝置。定向機(jī)采用陽(yáng)極靶平面產(chǎn)生的X射線束為固定單方向照射，呈圓錐形。
本項(xiàng)目擬使用的定向X射線探傷設(shè)備組成圖如下：
| 序號(hào) | 設(shè)備組成部分 |
|---|---|
| 1 | X射線發(fā)生器 |
| 2 | 控制箱 |
| 3 | 電纜線 |
2.1.2 工作方式
本項(xiàng)目擬使用的X射線探傷裝置為定向機(jī)，定向機(jī)的工作方式為：工作人員使用電纜線連接控制臺(tái)和設(shè)備，將工件與設(shè)備垂直擺放，把設(shè)備的出束口對(duì)準(zhǔn)待測(cè)工件。工作人員在控制臺(tái)位置打開(kāi)設(shè)備的主電源，手動(dòng)輸入訓(xùn)機(jī)指令后，設(shè)備將自動(dòng)進(jìn)行訓(xùn)機(jī)。待訓(xùn)機(jī)完成后，將膠片放置在待測(cè)工件后，工作人員在控制臺(tái)使用“管電壓調(diào)節(jié)旋鈕”和“曝光時(shí)間選擇按鈕”設(shè)置檢測(cè)需要的管電壓和時(shí)間。按下出束按鈕，設(shè)備自動(dòng)出束，曝光時(shí)間結(jié)束設(shè)備自動(dòng)降低電壓至最低值并自動(dòng)切斷高壓電源。
2.2 主要參數(shù)
本項(xiàng)目X射線探傷機(jī)主要參數(shù)如下表所示：
| 設(shè)備名稱(chēng) | X射線探傷機(jī) |
|---|---|
| 數(shù)據(jù)來(lái)源 | 建設(shè)單位提供 |
| 設(shè)備型號(hào) | XXG2005 |
| 最大管電壓 | 200kV |
| 最大管電流 | 5mA |
| 輻射角 | 40° |
| 濾過(guò)片 | 2mmAl |
| 距輻射源點(diǎn)（靶點(diǎn)）1m處輸出量 | 28.7×6×104μSv·m2/（mA·h） |
| 距靶點(diǎn)1m處的泄漏輻射劑量率 | 2.5×103μSv/h |
