年產(chǎn)200t單晶硅及1200萬(wàn)片單晶硅切片生產(chǎn)線項(xiàng)目可行性研究報(bào)告怎么寫(xiě)：附全文報(bào)告模版免費(fèi)下載
年產(chǎn)200t單晶硅及1200萬(wàn)片單晶硅切片生產(chǎn)線項(xiàng)目可行性研究報(bào)告怎么寫(xiě)：附全文報(bào)告模版免費(fèi)下載
1.1項(xiàng)目概況
項(xiàng)目名稱(chēng)：年產(chǎn)200t單晶硅及1200萬(wàn)片單晶硅切片生產(chǎn)線項(xiàng)目
新建企業(yè)名稱(chēng)：*****有限公司
項(xiàng)目負(fù)責(zé)人：***
項(xiàng)目建設(shè)地點(diǎn)：*****
1.2項(xiàng)目提出的背景
硅是地球上儲(chǔ)藏最豐富的材料之一，從19世紀(jì)科學(xué)家們發(fā)現(xiàn)了晶體硅的半導(dǎo)體特性后，它幾乎改變了一切，甚至人類(lèi)的思維。直到上世紀(jì)60年代開(kāi)始，硅材料就取代了原有鍺材料。硅材料――因其具有耐高溫和抗輻射性能較好，特別適宜制作大功率器件的特性而成為應(yīng)用最多的一種半導(dǎo)體材料，目前的集成電路半導(dǎo)體器件大多數(shù)是用硅材料制造的。
現(xiàn)在，我們的生活中處處可見(jiàn)“硅”的身影和作用，晶體硅太陽(yáng)能電池是近15年來(lái)形成產(chǎn)業(yè)化最快的。
熔融的單質(zhì)硅在凝固時(shí)硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長(zhǎng)成晶面取向相同的晶粒，則這些晶粒平行結(jié)合起來(lái)便結(jié)晶成單晶硅。
單晶硅的制法通常是先制得多晶硅或無(wú)定形硅，然后用直拉法或懸浮區(qū)熔法從熔體中生長(zhǎng)出棒狀單晶硅。
單晶硅棒是生產(chǎn)單晶硅片的原材料，隨著國(guó)內(nèi)和國(guó)際市場(chǎng)對(duì)單晶硅片需求量的快速增加，單晶硅棒的市場(chǎng)需求也呈快速增長(zhǎng)的趨勢(shì)。
單晶硅圓片按其直徑分為6英寸、8英寸、12英寸（300毫米）及18英寸（450毫米）等。直徑越大的圓片，所能刻制的集成電路越多，芯片的成本也就越低。但大尺寸晶片對(duì)材料和技術(shù)的要求也越高。單晶硅按晶體生長(zhǎng)方法的不同，分為直拉法（CZ）、區(qū)熔法（FZ）和外延法。直拉法、區(qū)熔法生長(zhǎng)單晶硅棒材，外延法生長(zhǎng)單晶硅薄膜。直拉法生長(zhǎng)的單晶硅主要用于半導(dǎo)體集成電路、二極管、外延片襯底、太陽(yáng)能電池。目前晶體直徑可控制在Φ3～8英寸。區(qū)熔法單晶主要用于高壓大功率可控整流器件領(lǐng)域，廣泛用于大功率輸變電、電力機(jī)車(chē)、整流、變頻、機(jī)電一體化、節(jié)能燈、電視機(jī)等系列產(chǎn)品。目前晶體直徑可控制在Φ3～6英寸。外延片主要用于集成電路領(lǐng)域。
由于成本和性能的原因，直拉法（CZ）單晶硅材料應(yīng)用最廣。在IC工業(yè)中所用的材料主要是CZ拋光片和外延片。存儲(chǔ)器電路通常使用CZ拋光片，因成本較低。邏輯電路一般使用價(jià)格較高的外延片，因其在IC制造中有更好的適用性并具有消除Latch－up的能力。
單晶硅也稱(chēng)硅單晶，是電子信息材料中最基礎(chǔ)性材料，屬半導(dǎo)體材料類(lèi)。單晶硅已滲透到國(guó)民經(jīng)濟(jì)和國(guó)防科技中各個(gè)領(lǐng)域，當(dāng)今全球超過(guò)2000億美元的電子通信半導(dǎo)體市場(chǎng)中95%以上的半導(dǎo)體器件及99%以上的集成電路用硅。
高純的單晶硅棒是單晶硅太陽(yáng)電池的原料，硅純度要求99.999％。單晶硅太陽(yáng)電池是當(dāng)前開(kāi)發(fā)得最快的一種太陽(yáng)電池，它的構(gòu)和生產(chǎn)工藝已定型，產(chǎn)品已廣泛用于空間和地面。為了降低生產(chǎn)成本，現(xiàn)在地面應(yīng)用的太陽(yáng)電池等采用太陽(yáng)能級(jí)的單晶硅棒，材料性能指標(biāo)有所放寬。有的也可使用半導(dǎo)體器件加工的頭尾料和廢次單晶硅材料，經(jīng)過(guò)復(fù)拉制成太陽(yáng)電池專(zhuān)用的單晶硅棒。
單晶硅是轉(zhuǎn)化太陽(yáng)能、電能的主要材料。在日常生活里，單晶硅可以說(shuō)無(wú)處不在，電視、電腦、冰箱、電話、汽車(chē)等等，處處離不開(kāi)單晶硅材料；在高科技領(lǐng)域，航天飛機(jī)、宇宙飛船、人造衛(wèi)星的制造，單晶硅同樣是必不可少的原材料。
在科學(xué)技術(shù)飛速發(fā)展的今天，利用單晶硅所生產(chǎn)的太陽(yáng)能電池可以直接把太陽(yáng)能轉(zhuǎn)化為光能，實(shí)現(xiàn)了邁向綠色能源革命的開(kāi)始?，F(xiàn)在，國(guó)外的太陽(yáng)能光伏電站已經(jīng)到了理論成熟階段，正在向?qū)嶋H應(yīng)用階段過(guò)渡，太陽(yáng)能單晶硅的利用將普及到全世界范圍，市場(chǎng)需求量不言而喻。
1.3可行性研究依據(jù)及范圍
1.3.1 研究依據(jù)
(1)*****有限公司委托知名工程設(shè)計(jì)研究院進(jìn)行該項(xiàng)目可行性研究的合同。
(2)*****有限公司提供的有關(guān)基礎(chǔ)資料。其中包括:企業(yè)基本情況、項(xiàng)目工藝流程、引進(jìn)及國(guó)產(chǎn)設(shè)備情況、財(cái)務(wù)核算依據(jù)、項(xiàng)目建設(shè)地基本情況等。
(3)國(guó)家信息產(chǎn)業(yè)相關(guān)政策。
1.3.2 研究范圍
根據(jù)上述文件要求，本報(bào)告對(duì)****有限公司年產(chǎn)200t單晶硅及1200萬(wàn)片單晶硅切片生產(chǎn)線項(xiàng)目進(jìn)行分析研究，內(nèi)容包括產(chǎn)品方案、生產(chǎn)規(guī)模、市場(chǎng)需求、工程技術(shù)方案、環(huán)境保護(hù)、投資估算和資金籌措、經(jīng)濟(jì)效益分析等。
1.4項(xiàng)目的目標(biāo)和主要內(nèi)容
1.4.1項(xiàng)目的目標(biāo)
項(xiàng)目將形成年產(chǎn)200t單晶硅及1200萬(wàn)片單晶硅切片的生產(chǎn)規(guī)模。達(dá)產(chǎn)后，年銷(xiāo)售收入66000萬(wàn)元；增值稅2247萬(wàn)元，所得稅1742萬(wàn)元，利潤(rùn)總額為6970萬(wàn)元。
1.4.2 項(xiàng)目的主要內(nèi)容
(1)項(xiàng)目將根據(jù)年產(chǎn)200t單晶硅及1200萬(wàn)片單晶硅切片的生產(chǎn)規(guī)模，利用已有廠房及公用輔助設(shè)施，引進(jìn)具有國(guó)際先進(jìn)水平的切片機(jī)、切方機(jī)及硅片檢測(cè)設(shè)備；購(gòu)置熱場(chǎng)、碳?xì)?、石英坩鍋、直拉式單晶爐、單晶硅帶鋸床等國(guó)產(chǎn)設(shè)備。
(2)廠區(qū)內(nèi)供電、供水等公用配套設(shè)施和生活設(shè)施的改造及建設(shè)。
(3)貫徹環(huán)境保護(hù)“三同時(shí)”、職業(yè)安全衛(wèi)生和節(jié)能原則。
1.5 總投資及資金來(lái)源
固定資產(chǎn)總投資：本次投資固定資產(chǎn)總額為10500萬(wàn)元，其中；
設(shè)備及安裝工程: 9559萬(wàn)元（540萬(wàn)美元）；
建設(shè)期利息 120萬(wàn)元；
其他費(fèi)用:821萬(wàn)元。
項(xiàng)目總投資：13000萬(wàn)元(含鋪底流動(dòng)資金2500萬(wàn)元)。
流動(dòng)資金：8000萬(wàn)元(含鋪底流動(dòng)資金2500萬(wàn)元)。
資金來(lái)源：固定資產(chǎn)投資由企業(yè)自籌6000萬(wàn)元，或銀行貸款4500萬(wàn)元。流動(dòng)資金銀行貸款5500萬(wàn)元，企業(yè)自籌2500萬(wàn)元。
1.6 研究的主要結(jié)果
經(jīng)可行性研究其結(jié)論性結(jié)果為：
(1)在國(guó)務(wù)院批轉(zhuǎn)國(guó)家發(fā)改委《產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整指導(dǎo)目錄(2005年本)》鼓勵(lì)類(lèi)第二十四條中信息產(chǎn)業(yè)第38條為：6英寸及以上單晶硅、多晶硅及晶片制造。充分說(shuō)明本項(xiàng) 目是國(guó)家產(chǎn)業(yè)政策重點(diǎn)支持和鼓勵(lì)發(fā)展的。
(2)本項(xiàng) 目擬引進(jìn)的切片機(jī)、切方機(jī)及硅片檢測(cè)設(shè)備技術(shù)先進(jìn)、自動(dòng)化程度高、監(jiān)測(cè)手段完備，是目前國(guó)際上最先進(jìn)的單晶硅片制造設(shè)備。國(guó)產(chǎn)設(shè)備選用也以先進(jìn)、高效、環(huán)保、節(jié)能為原則。
(3)項(xiàng)目產(chǎn)品單晶硅片是光伏產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵材料，國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)潛力巨大。
(4)本項(xiàng) 目將根據(jù)年產(chǎn)200t單晶硅及1200萬(wàn)片單晶硅切片的生產(chǎn)規(guī)模，利用已有廠房進(jìn)行工藝設(shè)備布置，使工藝流程合理、物流通暢，可做到上馬快，見(jiàn)效快。
(5)項(xiàng)目重視環(huán)境保護(hù)，擬投入適量資金建造環(huán)保設(shè)施對(duì)三廢進(jìn)行處理，經(jīng)處理后的廢水、廢氣將達(dá)到排放標(biāo)準(zhǔn)。項(xiàng)目勞動(dòng)安全衛(wèi)生、消防等問(wèn)題將通過(guò)恰當(dāng)措施得以妥善解決。
(6)項(xiàng)目總投資為13000萬(wàn)元，其中固定資產(chǎn)投資10500萬(wàn)元，鋪底流動(dòng)資金2500萬(wàn)元。達(dá)產(chǎn)后將形成年產(chǎn)200t單晶硅及1200萬(wàn)片單晶硅切片的生產(chǎn)能力。
(7)項(xiàng)目建設(shè)期12個(gè)月，達(dá)產(chǎn)后，年新增銷(xiāo)售收入66000萬(wàn)元，增值稅為2247萬(wàn)元，銷(xiāo)售稅金及附加為180萬(wàn)元，利潤(rùn)總額為6970萬(wàn)元。
(8)項(xiàng)目實(shí)施后，企業(yè)實(shí)力將顯著增強(qiáng)，經(jīng)濟(jì)分析表明：
內(nèi)部收益率為：36.42% (所得稅后)
投資回收期為：4.08年(所得稅后)
投資利潤(rùn)率為：37.68%
投資利稅率為：50.80%
由上可見(jiàn)，無(wú)論是從產(chǎn)品還是市場(chǎng)來(lái)看，本項(xiàng) 目設(shè)備較先進(jìn)，其產(chǎn)品技術(shù)含量較高、企業(yè)利潤(rùn)率高、市場(chǎng)銷(xiāo)售良好、盈利能力強(qiáng)，具有良好的社會(huì)效益及一定的抗風(fēng)險(xiǎn)能力，因而項(xiàng)目是可行的。
1.7主要技術(shù)經(jīng)濟(jì)指標(biāo)表
主要數(shù)據(jù) | |||
1、生產(chǎn)綱領(lǐng) | 年產(chǎn)200t單晶硅及1200萬(wàn)片單晶硅切片 | ||
2、產(chǎn)品方案 | 年產(chǎn)200t單晶硅及1200萬(wàn)片單晶硅切片 | ||
3、原輔材料 | 多晶硅料 | ||
免清洗單晶硅料 | |||
其他輔料 | |||
4、新增主要生產(chǎn)設(shè)備 | |||
5、公用工程 | 用水量 | ||
用電量 | |||
6、人員(新增) | |||
7、全年生產(chǎn)天數(shù) | |||
8、項(xiàng)目實(shí)施地建筑面積(m2) | |||
9、固定資產(chǎn)投資(萬(wàn)元) | |||
10、銷(xiāo)售收入及稅金 | 銷(xiāo)售收入(萬(wàn)元) | ||
增值稅(萬(wàn)元) | |||
銷(xiāo)售稅金附加(萬(wàn)元) | |||
利潤(rùn)總額(萬(wàn)元) | |||
所得稅(萬(wàn)元) | |||
財(cái)務(wù)評(píng)價(jià) | |||
1、全部投資財(cái)務(wù)內(nèi)部收益率(稅后) | |||
2、投資利潤(rùn)率 | |||
3、投資利稅率 | |||
4、投資回收期(稅后) | |||
