年產(chǎn)200t單晶硅及1200萬片單晶硅切片生產(chǎn)線項(xiàng)目可行性研究報告怎么寫：附全文報告模版免費(fèi)下載
年產(chǎn)200t單晶硅及1200萬片單晶硅切片生產(chǎn)線項(xiàng)目可行性研究報告怎么寫：附全文報告模版免費(fèi)下載
1.1項(xiàng)目概況
項(xiàng)目名稱：年產(chǎn)200t單晶硅及1200萬片單晶硅切片生產(chǎn)線項(xiàng)目
新建企業(yè)名稱：*****有限公司
項(xiàng)目負(fù)責(zé)人：***
項(xiàng)目建設(shè)地點(diǎn)：*****
1.2項(xiàng)目提出的背景
硅是地球上儲藏最豐富的材料之一，從19世紀(jì)科學(xué)家們發(fā)現(xiàn)了晶體硅的半導(dǎo)體特性后，它幾乎改變了一切，甚至人類的思維。直到上世紀(jì)60年代開始，硅材料就取代了原有鍺材料。硅材料――因其具有耐高溫和抗輻射性能較好，特別適宜制作大功率器件的特性而成為應(yīng)用最多的一種半導(dǎo)體材料，目前的集成電路半導(dǎo)體器件大多數(shù)是用硅材料制造的。
現(xiàn)在，我們的生活中處處可見“硅”的身影和作用，晶體硅太陽能電池是近15年來形成產(chǎn)業(yè)化最快的。
熔融的單質(zhì)硅在凝固時硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長成晶面取向相同的晶粒，則這些晶粒平行結(jié)合起來便結(jié)晶成單晶硅。
單晶硅的制法通常是先制得多晶硅或無定形硅，然后用直拉法或懸浮區(qū)熔法從熔體中生長出棒狀單晶硅。
單晶硅棒是生產(chǎn)單晶硅片的原材料，隨著國內(nèi)和國際市場對單晶硅片需求量的快速增加，單晶硅棒的市場需求也呈快速增長的趨勢。
單晶硅圓片按其直徑分為6英寸、8英寸、12英寸（300毫米）及18英寸（450毫米）等。直徑越大的圓片，所能刻制的集成電路越多，芯片的成本也就越低。但大尺寸晶片對材料和技術(shù)的要求也越高。單晶硅按晶體生長方法的不同，分為直拉法（CZ）、區(qū)熔法（FZ）和外延法。直拉法、區(qū)熔法生長單晶硅棒材，外延法生長單晶硅薄膜。直拉法生長的單晶硅主要用于半導(dǎo)體集成電路、二極管、外延片襯底、太陽能電池。目前晶體直徑可控制在Φ3～8英寸。區(qū)熔法單晶主要用于高壓大功率可控整流器件領(lǐng)域，廣泛用于大功率輸變電、電力機(jī)車、整流、變頻、機(jī)電一體化、節(jié)能燈、電視機(jī)等系列產(chǎn)品。目前晶體直徑可控制在Φ3～6英寸。外延片主要用于集成電路領(lǐng)域。
由于成本和性能的原因，直拉法（CZ）單晶硅材料應(yīng)用最廣。在IC工業(yè)中所用的材料主要是CZ拋光片和外延片。存儲器電路通常使用CZ拋光片，因成本較低。邏輯電路一般使用價格較高的外延片，因其在IC制造中有更好的適用性并具有消除Latch－up的能力。
單晶硅也稱硅單晶，是電子信息材料中最基礎(chǔ)性材料，屬半導(dǎo)體材料類。單晶硅已滲透到國民經(jīng)濟(jì)和國防科技中各個領(lǐng)域，當(dāng)今全球超過2000億美元的電子通信半導(dǎo)體市場中95%以上的半導(dǎo)體器件及99%以上的集成電路用硅。
高純的單晶硅棒是單晶硅太陽電池的原料，硅純度要求99.999％。單晶硅太陽電池是當(dāng)前開發(fā)得最快的一種太陽電池，它的構(gòu)和生產(chǎn)工藝已定型，產(chǎn)品已廣泛用于空間和地面。為了降低生產(chǎn)成本，現(xiàn)在地面應(yīng)用的太陽電池等采用太陽能級的單晶硅棒，材料性能指標(biāo)有所放寬。有的也可使用半導(dǎo)體器件加工的頭尾料和廢次單晶硅材料，經(jīng)過復(fù)拉制成太陽電池專用的單晶硅棒。
單晶硅是轉(zhuǎn)化太陽能、電能的主要材料。在日常生活里，單晶硅可以說無處不在，電視、電腦、冰箱、電話、汽車等等，處處離不開單晶硅材料；在高科技領(lǐng)域，航天飛機(jī)、宇宙飛船、人造衛(wèi)星的制造，單晶硅同樣是必不可少的原材料。
在科學(xué)技術(shù)飛速發(fā)展的今天，利用單晶硅所生產(chǎn)的太陽能電池可以直接把太陽能轉(zhuǎn)化為光能，實(shí)現(xiàn)了邁向綠色能源革命的開始?，F(xiàn)在，國外的太陽能光伏電站已經(jīng)到了理論成熟階段，正在向?qū)嶋H應(yīng)用階段過渡，太陽能單晶硅的利用將普及到全世界范圍，市場需求量不言而喻。
1.3可行性研究依據(jù)及范圍
1.3.1 研究依據(jù)
(1)*****有限公司委托知名工程設(shè)計研究院進(jìn)行該項(xiàng)目可行性研究的合同。
(2)*****有限公司提供的有關(guān)基礎(chǔ)資料。其中包括:企業(yè)基本情況、項(xiàng)目工藝流程、引進(jìn)及國產(chǎn)設(shè)備情況、財務(wù)核算依據(jù)、項(xiàng)目建設(shè)地基本情況等。
(3)國家信息產(chǎn)業(yè)相關(guān)政策。
1.3.2 研究范圍
根據(jù)上述文件要求，本報告對****有限公司年產(chǎn)200t單晶硅及1200萬片單晶硅切片生產(chǎn)線項(xiàng)目進(jìn)行分析研究，內(nèi)容包括產(chǎn)品方案、生產(chǎn)規(guī)模、市場需求、工程技術(shù)方案、環(huán)境保護(hù)、投資估算和資金籌措、經(jīng)濟(jì)效益分析等。
1.4項(xiàng)目的目標(biāo)和主要內(nèi)容
1.4.1項(xiàng)目的目標(biāo)
項(xiàng)目將形成年產(chǎn)200t單晶硅及1200萬片單晶硅切片的生產(chǎn)規(guī)模。達(dá)產(chǎn)后，年銷售收入66000萬元；增值稅2247萬元，所得稅1742萬元，利潤總額為6970萬元。
1.4.2 項(xiàng)目的主要內(nèi)容
(1)項(xiàng)目將根據(jù)年產(chǎn)200t單晶硅及1200萬片單晶硅切片的生產(chǎn)規(guī)模，利用已有廠房及公用輔助設(shè)施，引進(jìn)具有國際先進(jìn)水平的切片機(jī)、切方機(jī)及硅片檢測設(shè)備；購置熱場、碳?xì)?、石英坩鍋、直拉式單晶爐、單晶硅帶鋸床等國產(chǎn)設(shè)備。
(2)廠區(qū)內(nèi)供電、供水等公用配套設(shè)施和生活設(shè)施的改造及建設(shè)。
(3)貫徹環(huán)境保護(hù)“三同時”、職業(yè)安全衛(wèi)生和節(jié)能原則。
1.5 總投資及資金來源
固定資產(chǎn)總投資：本次投資固定資產(chǎn)總額為10500萬元，其中；
設(shè)備及安裝工程: 9559萬元（540萬美元）；
建設(shè)期利息 120萬元；
其他費(fèi)用:821萬元。
項(xiàng)目總投資：13000萬元(含鋪底流動資金2500萬元)。
流動資金：8000萬元(含鋪底流動資金2500萬元)。
資金來源：固定資產(chǎn)投資由企業(yè)自籌6000萬元，或銀行貸款4500萬元。流動資金銀行貸款5500萬元，企業(yè)自籌2500萬元。
1.6 研究的主要結(jié)果
經(jīng)可行性研究其結(jié)論性結(jié)果為：
(1)在國務(wù)院批轉(zhuǎn)國家發(fā)改委《產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整指導(dǎo)目錄(2005年本)》鼓勵類第二十四條中信息產(chǎn)業(yè)第38條為：6英寸及以上單晶硅、多晶硅及晶片制造。充分說明本項(xiàng) 目是國家產(chǎn)業(yè)政策重點(diǎn)支持和鼓勵發(fā)展的。
(2)本項(xiàng) 目擬引進(jìn)的切片機(jī)、切方機(jī)及硅片檢測設(shè)備技術(shù)先進(jìn)、自動化程度高、監(jiān)測手段完備，是目前國際上最先進(jìn)的單晶硅片制造設(shè)備。國產(chǎn)設(shè)備選用也以先進(jìn)、高效、環(huán)保、節(jié)能為原則。
(3)項(xiàng)目產(chǎn)品單晶硅片是光伏產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵材料，國內(nèi)外市場潛力巨大。
(4)本項(xiàng) 目將根據(jù)年產(chǎn)200t單晶硅及1200萬片單晶硅切片的生產(chǎn)規(guī)模，利用已有廠房進(jìn)行工藝設(shè)備布置，使工藝流程合理、物流通暢，可做到上馬快，見效快。
(5)項(xiàng)目重視環(huán)境保護(hù)，擬投入適量資金建造環(huán)保設(shè)施對三廢進(jìn)行處理，經(jīng)處理后的廢水、廢氣將達(dá)到排放標(biāo)準(zhǔn)。項(xiàng)目勞動安全衛(wèi)生、消防等問題將通過恰當(dāng)措施得以妥善解決。
(6)項(xiàng)目總投資為13000萬元，其中固定資產(chǎn)投資10500萬元，鋪底流動資金2500萬元。達(dá)產(chǎn)后將形成年產(chǎn)200t單晶硅及1200萬片單晶硅切片的生產(chǎn)能力。
(7)項(xiàng)目建設(shè)期12個月，達(dá)產(chǎn)后，年新增銷售收入66000萬元，增值稅為2247萬元，銷售稅金及附加為180萬元，利潤總額為6970萬元。
(8)項(xiàng)目實(shí)施后，企業(yè)實(shí)力將顯著增強(qiáng)，經(jīng)濟(jì)分析表明：
內(nèi)部收益率為：36.42% (所得稅后)
投資回收期為：4.08年(所得稅后)
投資利潤率為：37.68%
投資利稅率為：50.80%
由上可見，無論是從產(chǎn)品還是市場來看，本項(xiàng) 目設(shè)備較先進(jìn)，其產(chǎn)品技術(shù)含量較高、企業(yè)利潤率高、市場銷售良好、盈利能力強(qiáng)，具有良好的社會效益及一定的抗風(fēng)險能力，因而項(xiàng)目是可行的。
1.7主要技術(shù)經(jīng)濟(jì)指標(biāo)表
主要數(shù)據(jù) | |||
1、生產(chǎn)綱領(lǐng) | 年產(chǎn)200t單晶硅及1200萬片單晶硅切片 | ||
2、產(chǎn)品方案 | 年產(chǎn)200t單晶硅及1200萬片單晶硅切片 | ||
3、原輔材料 | 多晶硅料 | ||
免清洗單晶硅料 | |||
其他輔料 | |||
4、新增主要生產(chǎn)設(shè)備 | |||
5、公用工程 | 用水量 | ||
用電量 | |||
6、人員(新增) | |||
7、全年生產(chǎn)天數(shù) | |||
8、項(xiàng)目實(shí)施地建筑面積(m2) | |||
9、固定資產(chǎn)投資(萬元) | |||
10、銷售收入及稅金 | 銷售收入(萬元) | ||
增值稅(萬元) | |||
銷售稅金附加(萬元) | |||
利潤總額(萬元) | |||
所得稅(萬元) | |||
財務(wù)評價 | |||
1、全部投資財務(wù)內(nèi)部收益率(稅后) | |||
2、投資利潤率 | |||
3、投資利稅率 | |||
4、投資回收期(稅后) | |||
