（免費(fèi)下載）GB 51034-2014 多晶硅工廠設(shè)計(jì)規(guī)范
1 總 則
1.0.1 為規(guī)范多晶硅工廠的工程設(shè)計(jì)，提高工程設(shè)計(jì)質(zhì)量，做到技術(shù)先進(jìn)、經(jīng)濟(jì)合理、安全可靠、環(huán)保節(jié)能，制定本規(guī)范。
1.0.2 本規(guī)范適用于采用三氯氫硅氫還原法的新建、擴(kuò)建和改建多晶硅工廠的工程設(shè)計(jì)，也適用于硅烷歧化法多晶硅廠中三氯氫硅合成、四氯化硅氫化和氯硅烷提純的工程設(shè)計(jì)。
1.0.3 多晶硅工廠設(shè)計(jì)應(yīng)積極采用節(jié)能、環(huán)保、高效、先進(jìn)的裝備和工藝，提高資源、能源利用率，實(shí)現(xiàn)物料、能源綜合利用和清潔生產(chǎn)。
1.0.4 多晶硅工廠設(shè)計(jì)除應(yīng)符合本規(guī)范外，尚應(yīng)符合國(guó)家現(xiàn)行有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定。
2 術(shù) 語(yǔ)
2.0.1 三氯氫硅氫還原法 trichlorosilane hydrogen reduc-tion process
經(jīng)過(guò)不斷完善的多晶硅生產(chǎn)主流工藝，是將高純?nèi)葰涔枧c高純氫氣按一定比例通入還原爐，發(fā)生還原或熱分解反應(yīng)，在1050℃左右的高純硅芯基體表面上沉積生長(zhǎng)多晶硅；同時(shí)具備回收、利用生產(chǎn)過(guò)程中伴隨產(chǎn)生的氫氣、氯化氫、四氯化硅等副產(chǎn)物以及副產(chǎn)熱能，最大限度地實(shí)現(xiàn)“物料內(nèi)部循環(huán)、能量綜合利用”的多晶硅生產(chǎn)工藝。
2.0.2 多晶硅 polysilicon
單質(zhì)硅的一種形態(tài)，硅原子以晶格形態(tài)排列成許多晶核，晶核長(zhǎng)成晶面取向不同的晶粒，晶粒組合結(jié)晶成多晶硅。根據(jù)用途可分為太陽(yáng)能級(jí)和半導(dǎo)體級(jí)。
2.0.3 還原尾氣干法回收 reduction off-gas recovery by dry method
一種相對(duì)于傳統(tǒng)濕法回收尾氣工藝的方法，利用尾氣中各組分物理化學(xué)性質(zhì)的差異采用冷凝、吸收、解析、吸附等方法，將其逐一分開(kāi)回收、提純，再重新返回生產(chǎn)系統(tǒng)循環(huán)利用。
2.0.4 四氯化硅氫化 silicon tetrachloride hydrogenation
一種處理多晶硅副產(chǎn)物四氯化硅的方法，與氫反應(yīng)將其轉(zhuǎn)換成三氯氫硅。
2.0.5 三氯氫硅合成 trichlorosilane synthesis
一種制取三氯氫硅的方法，將硅粉和氯化氫通入有一定溫度的反應(yīng)器內(nèi)通過(guò)化學(xué)反應(yīng)生成三氯氫硅。
2.0.6 氯硅烷精餾 chlorosilane distillation
一種通過(guò)氣液交換，實(shí)現(xiàn)傳質(zhì)、傳熱，使氯硅烷混合物得到高純度分離的方法。
2.0.7 液氯汽化 liquid chlorine vaporization
一種將液氯加熱蒸發(fā)成氯氣的方法。
2.0.8 氯化氫合成 hydrogen chloride synthesis
通過(guò)化學(xué)反應(yīng)將氫氣、氯氣生成氯化氫氣體的方法。
2.0.9 鹽酸解析 hydrochloric acid stripping
一種將氯化氫從鹽酸中解析出來(lái)的方法。
2.0.10 還原爐 reduction reactor
一種生產(chǎn)棒狀多晶硅的專用設(shè)備。
2.0.11 二氯二氫硅反歧化 inverse disproportionating of di-chlorosilane
一種回收利用二氯二氫硅的方法，通過(guò)化學(xué)反應(yīng)將二氯二氫硅與四氯化硅轉(zhuǎn)化成三氯氫硅。
2.0.12 多晶硅后處理 polysilicon handling
根據(jù)客戶和產(chǎn)品分析檢測(cè)的要求，多晶硅出爐后進(jìn)一步處理的統(tǒng)稱，包括切除頭尾、鉆棒、滾圓、破碎、分揀、稱重、腐蝕、清洗、干燥及包裝等。
2.0.13 氯硅烷 chlorosilane
硅烷(SiH4)中的氫原子部分或全部被氯原子取代后的物質(zhì)統(tǒng)稱。通常包括四氯化硅(SiCl4)、三氯氫硅(SiHCl3)、二氯二氫硅(SiH2Cl2)、一氯三氫硅(SiH3Cl)等。
2.0.14 還原尾氣 reduction off-gas
還原爐內(nèi)生成多晶硅的反應(yīng)過(guò)程中未參與反應(yīng)的原料和生成的副產(chǎn)物的混合氣體，主要包括氫氣、氣態(tài)氯硅烷及氯化氫等。
2.0.15 防爆防護(hù)墻 explosion-proof protective wall
具有一定防爆能力的隔墻，能防止爆炸產(chǎn)生的飛散物對(duì)設(shè)施及人員的傷害。
3 基本規(guī)定
3.0.1 太陽(yáng)能級(jí)多晶硅工廠的設(shè)計(jì)規(guī)模應(yīng)符合國(guó)家現(xiàn)行有關(guān)光伏制造行業(yè)規(guī)范條件的要求。
3.0.2 多晶硅工廠應(yīng)采用符合國(guó)家現(xiàn)行有關(guān)光伏制造行業(yè)規(guī)范條件要求的先進(jìn)工藝技術(shù)、節(jié)能環(huán)保的工藝設(shè)備以及安全設(shè)施。
3.0.3 多晶硅工廠設(shè)計(jì)應(yīng)符合現(xiàn)行國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《多晶硅企業(yè)單位產(chǎn)品能源消耗限額》GB 29447等有關(guān)安全、環(huán)保、節(jié)能、消防以及勞動(dòng)衛(wèi)生的規(guī)定。
4 廠址選擇及廠區(qū)規(guī)劃
5 工藝設(shè)計(jì)
6 電氣及自動(dòng)化
7 輔助設(shè)施
8 建筑結(jié)構(gòu)
9 給水、排水和消防
10 采暖、通風(fēng)與空氣調(diào)節(jié)
11 環(huán)境保護(hù)、安全和衛(wèi)生
12 節(jié)能、余熱回收
附錄A 地下管線與建(構(gòu))筑物之間的最小水平凈距
附錄A 地下管線與建(構(gòu))筑物之間的最小水平凈距
表A 地下管線與建(構(gòu))筑物之間的最小水平凈距(m)
注：①特殊情況可酌減且最多減少1／2，應(yīng)符合現(xiàn)行國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《電力工程電纜設(shè)計(jì)規(guī)范》GB 50217的有關(guān)規(guī)定。
附錄B 地下管線之間的最小水平凈距
附錄B 地下管線之間的最小水平凈距
表B 地下管線之間的最小水平凈距(m)
注：①特殊情況可酌減且最多減少1／2，應(yīng)符合現(xiàn)行國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《電力工程電纜設(shè)計(jì)規(guī)范》GB 50217的有關(guān)規(guī)定。
②用隔板分隔或電纜穿管時(shí)可為0.1m。
附錄C 主要房間空氣潔凈度、溫度、濕度
附錄C 主要房間空氣潔凈度、溫度、濕度
表C 主要房間空氣潔凈度、溫度、濕度
注：腐蝕清洗室主要為生產(chǎn)半導(dǎo)體級(jí)多晶硅免洗料設(shè)置，在清洗設(shè)備上設(shè)置層流罩，保證在設(shè)備內(nèi)部空氣潔凈度達(dá)到5級(jí)。
