GB 50685-2011 電子工業(yè)純水系統(tǒng)設計規(guī)范 （完整版）
1 總 則
1.0.1 為確保電子工業(yè)純水系統(tǒng)出水滿足電子產品生產工藝要求，確保電子工業(yè)純水系統(tǒng)的設計做到技術先進、安全適用、經濟合理、操作方便，制定本規(guī)范。
1.0.2 本規(guī)范適用于新建、擴建和改建的電子工業(yè)純水系統(tǒng)的工程設計。
1.0.3 電子工業(yè)純水系統(tǒng)設計應貫徹執(zhí)行國家的技術經濟政策，合理選擇水源，節(jié)約能源，節(jié)約用水，節(jié)約用地，保護環(huán)境，安全衛(wèi)生，提高經濟效益。
1.0.4 電子工業(yè)純水系統(tǒng)設計應根據(jù)主體工程建設規(guī)劃、生產特點等綜合確定，并應經技術經濟比較，擇優(yōu)確定設計方案。當主體工程為分期建設時，純水系統(tǒng)應按最終容量(規(guī)模)統(tǒng)一規(guī)劃、合理布局、分期實施。
1.0.5 電子工業(yè)純水系統(tǒng)的設計應為施工安裝、維護管理、檢修、檢(監(jiān))測和安全運行創(chuàng)造必要的條件。
1.0.6 電子工業(yè)純水系統(tǒng)的改建、擴建設計，應合理利用、改造原有設施。
1.0.7 純水回收和節(jié)水設施宜與純水制備系統(tǒng)統(tǒng)籌規(guī)劃，并宜同時設計、同時施工、同時投運。
1.0.8 純水系統(tǒng)排放的廢水，應達到國家和地方排放標準后再排放。
1.0.9 電子工業(yè)純水系統(tǒng)的工程設計，除應符合本規(guī)范外，尚應符合國家現(xiàn)行有關標準的規(guī)定。
2 術 語
2.0.1 電子工業(yè)純水 pure water for electronic industry
電子工業(yè)生產所需的純化水的通稱，根據(jù)生產需要的水質去除生產所不希望保留的各種離子以及其他雜質的水。
2.0.2 電子工業(yè)純水系統(tǒng) pure water system for electronic industry
制取和配送用于電子工業(yè)生產純水的系統(tǒng)，通常包括純水制備、純水的輸送和分配、純水的回收和處理的系統(tǒng)。
2.0.3 軟化水 soft water
除掉部分或全部鈣、鎂離子等后的水。
2.0.4 淤塞指數(shù)(SDI) silt density index
保證反滲透正常運行的進水水質重要指標，它通過被測水樣對0. 45μm濾膜的淤塞程度間接表征造成反滲透膜面堵塞的水中微量懸浮物、膠體的含量，又稱污染指數(shù)FI。
2.0.5 電阻率 resistivity
度量水溶液阻止電流通過的能力，等于在一定溫度下，一對截面積為1cm2的電極在1cm距離間的電阻值，其單位為Ω·cm或MΩ·cm。
2.0.6 電導率 conductivity
度量水溶液導電的能力，等于電阻率的倒數(shù)，其單位為μs/cm或s/cm。
2.0.7 總有機碳(TOC) total organic carbon
水中溶解性和懸浮性有機物中碳的總量，反映水中有機物含量的指標。
2.0.8微濾(MF) microfiltration
通常指在外壓作用下，利用篩網(wǎng)狀過濾介質膜的“篩分”作用進行分離的膜分離技術。
2.0.9 超濾(UF) ultrafiltration
通常指在外壓作用下，利用非對稱性膜去除水中亞微米懸浮物的膜分離技術。超濾能截留分子量范圍為幾百至幾百萬的溶質和微粒，多為大分子有機物和膠體。
2.0.10 反滲透(RO) reverse osmosis
在外加壓力作用下，利用一種半透性薄膜使水分子和其他一些物質選擇性透過，從而將絕大部分懸浮物和絕大部分溶解固形物(鹽)截留去除的膜分離技術。
2.0.11 電脫鹽(EDI) electrodeionization
一種利用裝填陽、陰混合離子交換樹脂或離子交換無紡布，在直流電場作用下連續(xù)去除水中離子而不需要專門再生的除鹽裝置的統(tǒng)稱。
2.0.12 紫外線殺菌 UV sterilization
通過波長254nm的紫外線照射殺滅水中的活菌為紫外線殺菌裝置。
2.0.13 紫外線除有機碳 UV-TOC Removal
通過波長185nm的紫外線照射分解純水中的微量TOC為紫外線除TOC裝置。
2.0.14 膜脫氣裝置(MDG) membrane degasifier
利用膜分離技術降低水中揮發(fā)性溶解物質的裝置，在電子工業(yè)純水系統(tǒng)中主要是脫除純水中的溶解氧。
2.0.15 供水環(huán)路 distribution loop
為保證電子工業(yè)最終使用點的純水水質和水壓而采用的有附加循環(huán)水量的不間斷供水方式，最終使用點用水取自從終端過濾器到純水水箱之間的閉合供水環(huán)路。供水環(huán)路一般由純水精處理系統(tǒng)和供、回水管路共同組成。
2.0.16 背壓調節(jié)閥組 back pressure regulation unit
設于純水回水管路末端，通過調節(jié)閥通徑大小的變化來維持、調節(jié)純水供回水管路壓力的調節(jié)閥組。
3 純水制備工藝
4 純水輸送和分配
5 純水回收和節(jié)水
6 純水站房
7 藥品貯存、計量和輸送
8 控制及儀表
附錄A 水質全分析報告
附錄A 水質全分析報告
注：1當水源用于反滲透系統(tǒng)處理系統(tǒng)時，還應化驗水中Ba2+、Sr2+離子含量。
2當水源位于高氟、高錳地區(qū)時應化驗水中F-、Mn2+離子的含量。
3當水源為中水、再生水等時，應根據(jù)水源來水構成情況化驗水中生化耗氧量（BOD5）、化學耗氧量（CODcr）、氨氮、總有機碳、總磷、細菌總數(shù)、游離氯等含量。
4表中分析項目可根據(jù)工程情況酌情增減。
附錄B 離子交換器設計參數(shù)
B.0.1 順流再生式離子交換器的設計宜符合表B. 0. 1的規(guī)定。
注：1運行濾速上限為短時最大值，對于強酸陽離子交換器和堿陰離子交換器，當進水水質較好或采用自動控制時，運行濾速可按30m/h計算。
2硫酸分步再生時的濃度，酸量的分配和再生流速，可根據(jù)原水中鈣離子含量占總離子含量比例的不同，計算或試驗確定。當采用兩步再生時，第一步濃度（m/m）0.8%~1%，再生劑用量不應超過總量的40%，流速7m/h~10m/h；第二步濃度2%~3%，再生劑用量總量的60%。流速5M/h~7m/h。采用第三步再生時，第一步濃度0.8%~1%，流速8m/h~10m/h；第二步濃度2%~4%，流速5m/h~7m/h；第三步濃度小于4%~6%。流速4m/h~^m/h，第一步用酸量為總用酸量的1/3
B.0.2 逆流再生式離子交換器的設計宜符合表B. 0. 2的規(guī)定。
注：1大反洗的間隔時間與進水濁度、周期制水量等因素有關，宜為10d~20d進行一次，大反洗后可根據(jù)具體情況增加再生劑量50%~100%。
2頂壓空氣量以上部空間體積計算，宜為0.2m3~0.3m3；壓縮空氣應有穩(wěn)壓裝置。
3應避免再生液將空氣帶入離子交換器。
4再生、置換（逆洗）應用水質較好的水，如陽離子交換器用除鹽水、氫型水或軟化水，陰離子交換器用除鹽水。
5進再生液時間不宜過短，宜達到30min，如時間過短，可降低再生液流速或適當增加再生劑量。
B. 0. 3 浮動床離子交換器的設計宜符合表B. 0. 3的規(guī)定。
注：1最低濾速，陽離子交換器大于10m/h，陰離子交換器大于7m/h;樹脂輸送管內流速為1m/s~2m/s.
2硫酸分步再生技術條件可按本規(guī)范表B.0.1的要求確定。
3反洗周期與進水濁度、周期制水量等因素有關，反洗在清洗罐中進行，每次反洗后可根據(jù)具體情況增加再生劑量50%~100%。
4進再生液時間不宜過短，宜達到30min，如時間過短，可降低再生液流速或適當增加再生劑量。
B. 0. 4 雙室床、雙室浮動床離子交換器的設計宜符合表B. 0. 4的規(guī)定。
注：1最低濾速，陽離子交換器大于10m/h，陰離子交換器大于7m/h;樹脂輸送管內流速為1m/s~2m/s.
2硫酸分步再生技術條件可按本規(guī)范表B.0.1的要求確定。
3反洗周期與進水濁度、周期制水量等因素有關，反洗在清洗罐中進行，每次反洗后可根據(jù)具體情況增加再生劑量50%~100%。
4進再生液時間不宜過短，宜達到30min，如時間過短，可降低再生液流速或適當增加再生劑量。
